UTM4953G-S08-R Todos los transistores

 

UTM4953G-S08-R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UTM4953G-S08-R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

 Búsqueda de reemplazo de UTM4953G-S08-R MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

UTM4953G-S08-R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:175K  utc
 utm4953l-s08-r utm4953g-s08-r.pdf pdf_icon

UTM4953G-S08-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTM4953 Power MOSFET DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTM4953 uses advanced UTC technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate SOP-8voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

 7.1. Size:159K  utc
 utm4953.pdf pdf_icon

UTM4953G-S08-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTM4953 Preliminary Power MOSFET DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTM4953 uses advanced UTC technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate SOP-8voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

Otros transistores... UTM2054G-AE3-R , UTM4052L-S08-R , UTM4052G-S08-R , UTM4052L-TN4-R , UTM4052G-TN4-R , UTM4052L-TN4-T , UTM4052G-TN4-T , UTM4953L-S08-R , IRF640 , UTM6016L-TA3-T , UTM6016G-TA3-T , UTM6016L-TN3-R , UTM6016G-TN3-R , UTM6016G-S08-R , UTM6016G-K08-5060-R , UTT18P10L-TN3-R , UTT18P10G-TN3-R .

History: FMV05N50E | BSC076N04ND | IRFBC40SPBF

 

 
Back to Top

 


 
.