Справочник MOSFET. UTM4953G-S08-R

 

UTM4953G-S08-R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: UTM4953G-S08-R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для UTM4953G-S08-R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UTM4953G-S08-R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:175K  utc
 utm4953l-s08-r utm4953g-s08-r.pdf pdf_icon

UTM4953G-S08-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTM4953 Power MOSFET DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTM4953 uses advanced UTC technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate SOP-8voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

 7.1. Size:159K  utc
 utm4953.pdf pdf_icon

UTM4953G-S08-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTM4953 Preliminary Power MOSFET DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTM4953 uses advanced UTC technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate SOP-8voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

Другие MOSFET... UTM2054G-AE3-R , UTM4052L-S08-R , UTM4052G-S08-R , UTM4052L-TN4-R , UTM4052G-TN4-R , UTM4052L-TN4-T , UTM4052G-TN4-T , UTM4953L-S08-R , IRF640 , UTM6016L-TA3-T , UTM6016G-TA3-T , UTM6016L-TN3-R , UTM6016G-TN3-R , UTM6016G-S08-R , UTM6016G-K08-5060-R , UTT18P10L-TN3-R , UTT18P10G-TN3-R .

History: TPCC8A01-H | SM1A16PSU | AM4953 | NTMFS4922NE

 

 
Back to Top

 


 
.