UTM4953G-S08-R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UTM4953G-S08-R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для UTM4953G-S08-R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UTM4953G-S08-R даташит

 ..1. Size:175K  utc
 utm4953l-s08-r utm4953g-s08-r.pdf pdf_icon

UTM4953G-S08-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTM4953 Power MOSFET DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTM4953 uses advanced UTC technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate SOP-8 voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

 7.1. Size:159K  utc
 utm4953.pdf pdf_icon

UTM4953G-S08-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTM4953 Preliminary Power MOSFET DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTM4953 uses advanced UTC technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate SOP-8 voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

Другие IGBT... UTM2054G-AE3-R, UTM4052L-S08-R, UTM4052G-S08-R, UTM4052L-TN4-R, UTM4052G-TN4-R, UTM4052L-TN4-T, UTM4052G-TN4-T, UTM4953L-S08-R, IRFP460, UTM6016L-TA3-T, UTM6016G-TA3-T, UTM6016L-TN3-R, UTM6016G-TN3-R, UTM6016G-S08-R, UTM6016G-K08-5060-R, UTT18P10L-TN3-R, UTT18P10G-TN3-R