UTM4953G-S08-R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: UTM4953G-S08-R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: SOP8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
UTM4953G-S08-R Datasheet (PDF)
utm4953l-s08-r utm4953g-s08-r.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTM4953 Power MOSFET DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTM4953 uses advanced UTC technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate SOP-8voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)
utm4953.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTM4953 Preliminary Power MOSFET DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTM4953 uses advanced UTC technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate SOP-8voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: SVS65R240L8AD4TR | BUK9225-55A
History: SVS65R240L8AD4TR | BUK9225-55A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc3281 datasheet | 2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet | 2sc373 | a1023 datasheet | 2sc1080 | 2sb618