FDMA0104 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDMA0104

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0145 Ohm

Encapsulados: MICROFET

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FDMA0104 datasheet

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FDMA0104

May 2011 FDMA0104 Single N-Channel 1.5 V Specified PowerTrench MOSFET 20 V, 9.4 A, 14.5 m Features General Description Max rDS(on) = 14.5 m at VGS = 4.5 V, ID = 9.4 A This Single N-Channel MOSFET has been designed using Fairchild Semiconductor s advanced Power Trench process to Max rDS(on) = 18.2 m at VGS = 2.5 V, ID = 8.3 A optimize the rDS(ON) @ VGS = 1.5 V on specia

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