FDMA0104. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FDMA0104
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm
Тип корпуса: MICROFET
Аналог (замена) для FDMA0104
- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FDMA0104 даташит
fdma0104.pdf
May 2011 FDMA0104 Single N-Channel 1.5 V Specified PowerTrench MOSFET 20 V, 9.4 A, 14.5 m Features General Description Max rDS(on) = 14.5 m at VGS = 4.5 V, ID = 9.4 A This Single N-Channel MOSFET has been designed using Fairchild Semiconductor s advanced Power Trench process to Max rDS(on) = 18.2 m at VGS = 2.5 V, ID = 8.3 A optimize the rDS(ON) @ VGS = 1.5 V on specia
Другие MOSFET... STS3409 , FDI3632 , STS3406 , FDI8441 , FDI8441F085 , FDL100N50F , FDM3622 , STS3405 , 2N7000 , FDMA1023PZ , FDMA1024NZ , FDMA1025P , FDMA1027P , FDMA1027PT , FDMA1028NZ , FDMA1029PZ , FDMA1032CZ .
History: FDMA1027P | P1603BD
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: HAF1008S | HAF1008L | EMZB08P03H | CS30N20FA9R | AOT66613L | AOSP21313C | AOSP21311C | AOB66918L | AO3415C | AOTF20N40L | AOTF11N60L | AOT11N60L | AONS21303C | AOI280A60 | AOB66914L | AO3485C
Popular searches
2sd526 | 2n4403 transistor equivalent | 2sc1318 | 2n3055 transistor equivalent | 2sc1740 | c3229 | c2078 transistor | 2sc458 transistors

