Справочник MOSFET. FDMA0104

 

FDMA0104 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDMA0104
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 7.4 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm
   Тип корпуса: MICROFET
 

 Аналог (замена) для FDMA0104

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDMA0104 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  fairchild semi
 fdma0104.pdf pdf_icon

FDMA0104

May 2011FDMA0104Single N-Channel 1.5 V Specified PowerTrench MOSFET 20 V, 9.4 A, 14.5 mFeatures General Description Max rDS(on) = 14.5 m at VGS = 4.5 V, ID = 9.4 AThis Single N-Channel MOSFET has been designed using Fairchild Semiconductors advanced Power Trench process to Max rDS(on) = 18.2 m at VGS = 2.5 V, ID = 8.3 Aoptimize the rDS(ON) @ VGS = 1.5 V on specia

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ATP103 | FDS6680A

 

 
Back to Top

 


 
.