FDMA0104 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDMA0104
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.4 nC
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm
Тип корпуса: MICROFET
FDMA0104 Datasheet (PDF)
fdma0104.pdf
May 2011FDMA0104Single N-Channel 1.5 V Specified PowerTrench MOSFET 20 V, 9.4 A, 14.5 mFeatures General Description Max rDS(on) = 14.5 m at VGS = 4.5 V, ID = 9.4 AThis Single N-Channel MOSFET has been designed using Fairchild Semiconductors advanced Power Trench process to Max rDS(on) = 18.2 m at VGS = 2.5 V, ID = 8.3 Aoptimize the rDS(ON) @ VGS = 1.5 V on specia
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918