UTT24N06G-TN3-R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UTT24N06G-TN3-R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 115 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 49 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET UTT24N06G-TN3-R
UTT24N06G-TN3-R Datasheet (PDF)
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT24N06 Power MOSFET 24A, 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT24N06 is an N-Channel enhancement mode MOSFET, it uses UTCs advanced technology to provide the customers with a minimum on state resistance and low gate charge, etc. The UTC UTT24N06 is suitable for switching application in Industry and converter ap
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