UTT24N06G-TN3-R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: UTT24N06G-TN3-R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 115 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 49 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET UTT24N06G-TN3-R

UTT24N06G-TN3-R Datasheet (PDF)

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT24N06 Power MOSFET 24A, 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT24N06 is an N-Channel enhancement mode MOSFET, it uses UTCs advanced technology to provide the customers with a minimum on state resistance and low gate charge, etc. The UTC UTT24N06 is suitable for switching application in Industry and converter ap

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