UTT24N06G-TN3-R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UTT24N06G-TN3-R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для UTT24N06G-TN3-R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UTT24N06G-TN3-R даташит

 0.1. Size:204K  utc
 utt24n06l-tm3-t utt24n06g-tm3-t utt24n06l-tn3-r utt24n06g-tn3-r.pdf pdf_icon

UTT24N06G-TN3-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT24N06 Power MOSFET 24A, 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT24N06 is an N-Channel enhancement mode MOSFET, it uses UTC s advanced technology to provide the customers with a minimum on state resistance and low gate charge, etc. The UTC UTT24N06 is suitable for switching application in Industry and converter ap

Другие IGBT... UTM6016G-K08-5060-R, UTT18P10L-TN3-R, UTT18P10G-TN3-R, UTT18P10L-TA3-T, UTT18P10G-TA3-T, UTT24N06L-TM3-T, UTT24N06G-TM3-T, UTT24N06L-TN3-R, 2N7000, UTT25P10L-TA3-T, UTT25P10G-TA3-T, UTT25P10L-TF3-T, UTT25P10G-TF3-T, UTT25P10L-TN3-R, UTT25P10G-TN3-R, UTT25P10L-TQ2-T, UTT25P10G-TQ2-T