UTT4850G-S08-R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UTT4850G-S08-R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 185 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: SOP8

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UTT4850G-S08-R datasheet

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UTT4850G-S08-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT4850 Power MOSFET N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT4850 is a N-channel, it uses UTC s advanced technology to provide the customers with a minimum on state resistance and high switching speed. FEATURES SOP-8 *RDS(ON)

 9.1. Size:140K  utc
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UTT4850G-S08-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT4815 Preliminary Power MOSFET 8 Amps, -30 Volts P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT4815 is a P-channel enhancement mode power MOSFET using UTC s advanced trench technology to provide customers with a minimum on-state resistance and extremely gate charge with a 25V gate rating The UTC UTT4815 is ESD protected and universally appl

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