UTT4850G-S08-R Todos los transistores

 

UTT4850G-S08-R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UTT4850G-S08-R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 185 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

 Búsqueda de reemplazo de UTT4850G-S08-R MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

UTT4850G-S08-R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:139K  utc
 utt4850l-s08-r utt4850g-s08-r.pdf pdf_icon

UTT4850G-S08-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT4850 Power MOSFET N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT4850 is a N-channel, it uses UTCs advanced technology to provide the customers with a minimum on state resistance and high switching speed. FEATURES SOP-8*RDS(ON)

 9.1. Size:140K  utc
 utt4815.pdf pdf_icon

UTT4850G-S08-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT4815 Preliminary Power MOSFET 8 Amps, -30 Volts P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT4815 is a P-channel enhancement mode power MOSFET using UTCs advanced trench technology to provide customers with a minimum on-state resistance and extremely gate charge with a 25V gate rating The UTC UTT4815 is ESD protected and universally appl

Otros transistores... UTT30P06G-TM3-T , UTT30P06L-TQ2-T , UTT30P06G-TQ2-T , UTT30P06L-TQ2-R , UTT30P06G-TQ2-R , UTT30P06L-TN3-R , UTT30P06G-TN3-R , UTT4850L-S08-R , 4435 , UTT6NP10L-TN4-R , UTT6NP10G-TN4-R , UTT6NP10L-S08-R , UTT6NP10G-S08-R , 2P302A , 2P308A9 , 2P308B9 , 2P308G9 .

History: SM2202NSQG | STU6N60DM2 | IPB100N04S2-04 | IRFS9N60APBF | IXFT13N100 | SUP45N03-13L | MS49P63

 

 
Back to Top

 


 
.