UTT4850G-S08-R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UTT4850G-S08-R  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для UTT4850G-S08-R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UTT4850G-S08-R даташит

 ..1. Size:139K  utc
 utt4850l-s08-r utt4850g-s08-r.pdf pdf_icon

UTT4850G-S08-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT4850 Power MOSFET N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT4850 is a N-channel, it uses UTC s advanced technology to provide the customers with a minimum on state resistance and high switching speed. FEATURES SOP-8 *RDS(ON)

 9.1. Size:140K  utc
 utt4815.pdf pdf_icon

UTT4850G-S08-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT4815 Preliminary Power MOSFET 8 Amps, -30 Volts P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT4815 is a P-channel enhancement mode power MOSFET using UTC s advanced trench technology to provide customers with a minimum on-state resistance and extremely gate charge with a 25V gate rating The UTC UTT4815 is ESD protected and universally appl

Другие IGBT... UTT30P06G-TM3-T, UTT30P06L-TQ2-T, UTT30P06G-TQ2-T, UTT30P06L-TQ2-R, UTT30P06G-TQ2-R, UTT30P06L-TN3-R, UTT30P06G-TN3-R, UTT4850L-S08-R, 20N50, UTT6NP10L-TN4-R, UTT6NP10G-TN4-R, UTT6NP10L-S08-R, UTT6NP10G-S08-R, 2P302A, 2P308A9, 2P308B9, 2P308G9