Справочник MOSFET. UTT4850G-S08-R

 

UTT4850G-S08-R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: UTT4850G-S08-R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.7 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 70 nC

Время нарастания (tr): 80 ns

Выходная емкость (Cd): 185 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.025 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для UTT4850G-S08-R

 

 

UTT4850G-S08-R Datasheet (PDF)

..1. utt4850l-s08-r utt4850g-s08-r.pdf Size:139K _utc

UTT4850G-S08-R
UTT4850G-S08-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT4850 Power MOSFET N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT4850 is a N-channel, it uses UTCs advanced technology to provide the customers with a minimum on state resistance and high switching speed. FEATURES SOP-8*RDS(ON)

9.1. utt4815.pdf Size:140K _utc

UTT4850G-S08-R
UTT4850G-S08-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT4815 Preliminary Power MOSFET 8 Amps, -30 Volts P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT4815 is a P-channel enhancement mode power MOSFET using UTCs advanced trench technology to provide customers with a minimum on-state resistance and extremely gate charge with a 25V gate rating The UTC UTT4815 is ESD protected and universally appl

Другие MOSFET... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , K2611 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
Back to Top