Справочник MOSFET. UTT4850G-S08-R

 

UTT4850G-S08-R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: UTT4850G-S08-R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для UTT4850G-S08-R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UTT4850G-S08-R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:139K  utc
 utt4850l-s08-r utt4850g-s08-r.pdf pdf_icon

UTT4850G-S08-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT4850 Power MOSFET N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT4850 is a N-channel, it uses UTCs advanced technology to provide the customers with a minimum on state resistance and high switching speed. FEATURES SOP-8*RDS(ON)

 9.1. Size:140K  utc
 utt4815.pdf pdf_icon

UTT4850G-S08-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT4815 Preliminary Power MOSFET 8 Amps, -30 Volts P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT4815 is a P-channel enhancement mode power MOSFET using UTCs advanced trench technology to provide customers with a minimum on-state resistance and extremely gate charge with a 25V gate rating The UTC UTT4815 is ESD protected and universally appl

Другие MOSFET... UTT30P06G-TM3-T , UTT30P06L-TQ2-T , UTT30P06G-TQ2-T , UTT30P06L-TQ2-R , UTT30P06G-TQ2-R , UTT30P06L-TN3-R , UTT30P06G-TN3-R , UTT4850L-S08-R , 4435 , UTT6NP10L-TN4-R , UTT6NP10G-TN4-R , UTT6NP10L-S08-R , UTT6NP10G-S08-R , 2P302A , 2P308A9 , 2P308B9 , 2P308G9 .

History: BSH105 | DAMH160N200 | HM3018KR | BL9N90-A | 2SK1793-Z | QM6008G | VSE002N03MS-G

 

 
Back to Top

 


 
.