2P308B9 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2P308B9
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.08 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.02 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 250 Ohm
Encapsulados: SOT-23
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2P308B9 datasheet
Otros transistores... UTT4850L-S08-R, UTT4850G-S08-R, UTT6NP10L-TN4-R, UTT6NP10G-TN4-R, UTT6NP10L-S08-R, UTT6NP10G-S08-R, 2P302A, 2P308A9, AON7506, 2P308G9, 2P308D9, 2P601A9, 2P7154AC, 2P7154BC, 2P7154VC, 2P802A, 2P819A
History: ME4894-G
🌐 : EN ES РУ
Liste
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