2P308B9. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2P308B9

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.08 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.02 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 100 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 250 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для 2P308B9

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2P308B9 даташит

 ..1. Size:61K  russia
 2p308a9 2p308b9 2p308v9 2p308g9 2p308d9 2p308e9.pdf pdf_icon

2P308B9

 9.1. Size:713K  russia
 kp308 2p308.pdf pdf_icon

2P308B9

Другие IGBT... UTT4850L-S08-R, UTT4850G-S08-R, UTT6NP10L-TN4-R, UTT6NP10G-TN4-R, UTT6NP10L-S08-R, UTT6NP10G-S08-R, 2P302A, 2P308A9, AON7506, 2P308G9, 2P308D9, 2P601A9, 2P7154AC, 2P7154BC, 2P7154VC, 2P802A, 2P819A