2P829A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2P829A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
Paquete / Cubierta: КТ-105-1
Búsqueda de reemplazo de 2P829A MOSFET
2P829A Datasheet (PDF)
Otros transistores... 2P7154AC , 2P7154BC , 2P7154VC , 2P802A , 2P819A , 2P821A , 2P821B , 2P826AC , SKD502T , 2P829A9 , 2P829B , 2P829B9 , 2P829V , 2P829V9 , 2P829G , 2P829G9 , 2P829D .
History: FTK10N10 | ELM34404AA | CSD18502Q5B | BRCS2301MA | QM0004P | PH20100S | ISL9N310AD3ST
History: FTK10N10 | ELM34404AA | CSD18502Q5B | BRCS2301MA | QM0004P | PH20100S | ISL9N310AD3ST



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet