Справочник MOSFET. 2P829A

 

2P829A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2P829A
   Маркировка: 2П829А
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: КТ-105-1
 

 Аналог (замена) для 2P829A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2P829A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:207K  russia
 2p829a.pdf pdf_icon

2P829A

U = 1200 2829Ic = 10 R = 0,9 . - 2 -105-

 0.1. Size:172K  russia
 2p829a9.pdf pdf_icon

2P829A

U = 1200 28299Ic = 10 R = 0,9 -106-1

 9.1. Size:154K  russia
 2p829i9.pdf pdf_icon

2P829A

U = 200 28299Ic = 40 R = 0,05 -95-1

 9.2. Size:162K  russia
 2p829j.pdf pdf_icon

2P829A

U = 30 2829Ic = 80 R = 0,03 . - 2 -43-1.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.