2P829B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2P829B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 630 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
Paquete / Cubierta: КТ-105-1
Búsqueda de reemplazo de 2P829B MOSFET
2P829B Datasheet (PDF)
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History: RS1E170GN | IRFM3205 | FDB8132 | FDB7030LL86Z | RS1E150GN | FIR40N15LG
History: RS1E170GN | IRFM3205 | FDB8132 | FDB7030LL86Z | RS1E150GN | FIR40N15LG
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