2P829B. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2P829B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
Тип корпуса: КТ-105-1
Аналог (замена) для 2P829B
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2P829B даташит
Другие MOSFET... 2P7154VC , 2P802A , 2P819A , 2P821A , 2P821B , 2P826AC , 2P829A , 2P829A9 , AO3407 , 2P829B9 , 2P829V , 2P829V9 , 2P829G , 2P829G9 , 2P829D , 2P829D9 , 2P829E .
History: 2SK596S-B | AOB282L | AOB12N50L | VN0360N5 | KU2307K | WMK028N08HGD | AO3402A
History: 2SK596S-B | AOB282L | AOB12N50L | VN0360N5 | KU2307K | WMK028N08HGD | AO3402A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor















