2P829V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2P829V
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
Paquete / Cubierta: КТ-105-1
Búsqueda de reemplazo de 2P829V MOSFET
2P829V Datasheet (PDF)
Otros transistores... 2P819A , 2P821A , 2P821B , 2P826AC , 2P829A , 2P829A9 , 2P829B , 2P829B9 , 20N50 , 2P829V9 , 2P829G , 2P829G9 , 2P829D , 2P829D9 , 2P829E , 2P829E9 , 2P829J .
History: IPW60R040C7 | IPW65R070C6 | FDB8874 | IRFZ14L | FDB42AN15A0 | IRFM540 | IPW50R190CE
History: IPW60R040C7 | IPW65R070C6 | FDB8874 | IRFZ14L | FDB42AN15A0 | IRFM540 | IPW50R190CE
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735

