2P829V - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2P829V
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
Тип корпуса: КТ-105-1
Аналог (замена) для 2P829V
2P829V Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... 2P819A , 2P821A , 2P821B , 2P826AC , 2P829A , 2P829A9 , 2P829B , 2P829B9 , IRF530 , 2P829V9 , 2P829G , 2P829G9 , 2P829D , 2P829D9 , 2P829E , 2P829E9 , 2P829J .
History: F15F60C3M | SSF3960J7-HF | 2SK4193LS | STL58N3LLH5 | WML125N12LG2 | STL7N10F7 | WMK05N105C2
History: F15F60C3M | SSF3960J7-HF | 2SK4193LS | STL58N3LLH5 | WML125N12LG2 | STL7N10F7 | WMK05N105C2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735