Справочник MOSFET. 2P829V

 

2P829V Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2P829V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: КТ-105-1
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2P829V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  russia
 2p829v.pdf pdf_icon

2P829V

U = 600 2829Ic = 20 R = 0,15 . - 2 -105-1

 0.1. Size:153K  russia
 2p829v9.pdf pdf_icon

2P829V

U = 600 28299Ic = 20 R = 0,15 -106-1

 9.1. Size:154K  russia
 2p829i9.pdf pdf_icon

2P829V

U = 200 28299Ic = 40 R = 0,05 -95-1

 9.2. Size:162K  russia
 2p829j.pdf pdf_icon

2P829V

U = 30 2829Ic = 80 R = 0,03 . - 2 -43-1.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2P819A , 2P821A , 2P821B , 2P826AC , 2P829A , 2P829A9 , 2P829B , 2P829B9 , 2N60 , 2P829V9 , 2P829G , 2P829G9 , 2P829D , 2P829D9 , 2P829E , 2P829E9 , 2P829J .

History: IPD60R210PFD7S

 

 
Back to Top

 


 
.