Справочник MOSFET. 2P829V

 

2P829V Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2P829V
   Маркировка: 2П829В
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   trⓘ - Время нарастания: 44 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: КТ-105-1
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2P829V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  russia
 2p829v.pdf pdf_icon

2P829V

U = 600 2829Ic = 20 R = 0,15 . - 2 -105-1

 0.1. Size:153K  russia
 2p829v9.pdf pdf_icon

2P829V

U = 600 28299Ic = 20 R = 0,15 -106-1

 9.1. Size:154K  russia
 2p829i9.pdf pdf_icon

2P829V

U = 200 28299Ic = 40 R = 0,05 -95-1

 9.2. Size:162K  russia
 2p829j.pdf pdf_icon

2P829V

U = 30 2829Ic = 80 R = 0,03 . - 2 -43-1.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: TPC8087 | FTK1N60F

 

 
Back to Top

 


 
.