2P829V9 Todos los transistores

 

2P829V9 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2P829V9
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: КТ-106-1
 

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2P829V9 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:153K  russia
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2P829V9

U = 600 28299Ic = 20 R = 0,15 -106-1

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2P829V9

U = 600 2829Ic = 20 R = 0,15 . - 2 -105-1

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2P829V9

U = 200 28299Ic = 40 R = 0,05 -95-1

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2P829V9

U = 30 2829Ic = 80 R = 0,03 . - 2 -43-1.

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History: HY1607M | FW202 | KX5P04DY | HMS11N60 | HMS11N60F | WMM90R500S

 

 
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