Справочник MOSFET. 2P829V9

 

2P829V9 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2P829V9
   Маркировка: 2П829В9
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: КТ-106-1
 

 Аналог (замена) для 2P829V9

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2P829V9 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:153K  russia
 2p829v9.pdf pdf_icon

2P829V9

U = 600 28299Ic = 20 R = 0,15 -106-1

 8.1. Size:187K  russia
 2p829v.pdf pdf_icon

2P829V9

U = 600 2829Ic = 20 R = 0,15 . - 2 -105-1

 9.1. Size:154K  russia
 2p829i9.pdf pdf_icon

2P829V9

U = 200 28299Ic = 40 R = 0,05 -95-1

 9.2. Size:162K  russia
 2p829j.pdf pdf_icon

2P829V9

U = 30 2829Ic = 80 R = 0,03 . - 2 -43-1.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.