2P829V9 - описание и поиск аналогов

 

2P829V9. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2P829V9

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: КТ-106-1

Аналог (замена) для 2P829V9

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2P829V9 даташит

 ..1. Size:153K  russia
 2p829v9.pdf pdf_icon

2P829V9

U = 600 28299 Ic = 20 R = 0,15 -106-1

 8.1. Size:187K  russia
 2p829v.pdf pdf_icon

2P829V9

U = 600 2829 Ic = 20 R = 0,15 . - 2 -105-1

 9.1. Size:154K  russia
 2p829i9.pdf pdf_icon

2P829V9

 9.2. Size:162K  russia
 2p829j.pdf pdf_icon

2P829V9

U = 30 2829 Ic = 80 R = 0,03 . - 2 -43-1.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2P821A , 2P821B , 2P826AC , 2P829A , 2P829A9 , 2P829B , 2P829B9 , 2P829V , IRF520 , 2P829G , 2P829G9 , 2P829D , 2P829D9 , 2P829E , 2P829E9 , 2P829J , 2P829J9 .

History: IRF8736TR | WMK05N105C2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.