2P829G9 Todos los transistores

 

2P829G9 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2P829G9
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: КТ-95-1
 

 Búsqueda de reemplazo de 2P829G9 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2P829G9 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:160K  russia
 2p829g9.pdf pdf_icon

2P829G9

U = 200 28299Ic = 40 R = 0,05 -95-1

 8.1. Size:174K  russia
 2p829g.pdf pdf_icon

2P829G9

U = 200 2829Ic = 40 R = 0,05 . - 2 -43-1.

 9.1. Size:154K  russia
 2p829i9.pdf pdf_icon

2P829G9

U = 200 28299Ic = 40 R = 0,05 -95-1

 9.2. Size:162K  russia
 2p829j.pdf pdf_icon

2P829G9

U = 30 2829Ic = 80 R = 0,03 . - 2 -43-1.

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... 2P826AC , 2P829A , 2P829A9 , 2P829B , 2P829B9 , 2P829V , 2P829V9 , 2P829G , IRF2807 , 2P829D , 2P829D9 , 2P829E , 2P829E9 , 2P829J , 2P829J9 , 2P829I9 , 2P903A .

History: UT30N03 | SHD226305

 

 
Back to Top

 


 
.