Справочник MOSFET. 2P829G9

 

2P829G9 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2P829G9
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: КТ-95-1
 

 Аналог (замена) для 2P829G9

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2P829G9 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:160K  russia
 2p829g9.pdf pdf_icon

2P829G9

U = 200 28299Ic = 40 R = 0,05 -95-1

 8.1. Size:174K  russia
 2p829g.pdf pdf_icon

2P829G9

U = 200 2829Ic = 40 R = 0,05 . - 2 -43-1.

 9.1. Size:154K  russia
 2p829i9.pdf pdf_icon

2P829G9

U = 200 28299Ic = 40 R = 0,05 -95-1

 9.2. Size:162K  russia
 2p829j.pdf pdf_icon

2P829G9

U = 30 2829Ic = 80 R = 0,03 . - 2 -43-1.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2P826AC , 2P829A , 2P829A9 , 2P829B , 2P829B9 , 2P829V , 2P829V9 , 2P829G , IRF2807 , 2P829D , 2P829D9 , 2P829E , 2P829E9 , 2P829J , 2P829J9 , 2P829I9 , 2P903A .

History: 12P10G-TMS-T | 19N10L-TM3-T | AP90N03Q | SGSP362 | 17P10G-TN3-R | UT3406 | UT3N06

 

 
Back to Top

 


 
.