Справочник MOSFET. 2P829G9

 

2P829G9 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2P829G9
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: КТ-95-1
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2P829G9 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:160K  russia
 2p829g9.pdf pdf_icon

2P829G9

U = 200 28299Ic = 40 R = 0,05 -95-1

 8.1. Size:174K  russia
 2p829g.pdf pdf_icon

2P829G9

U = 200 2829Ic = 40 R = 0,05 . - 2 -43-1.

 9.1. Size:154K  russia
 2p829i9.pdf pdf_icon

2P829G9

U = 200 28299Ic = 40 R = 0,05 -95-1

 9.2. Size:162K  russia
 2p829j.pdf pdf_icon

2P829G9

U = 30 2829Ic = 80 R = 0,03 . - 2 -43-1.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: CSD16410Q5A | IMW65R027M1H

 

 
Back to Top

 


 
.