2P829G9. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2P829G9

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: КТ-95-1

Аналог (замена) для 2P829G9

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2P829G9 даташит

 ..1. Size:160K  russia
 2p829g9.pdf pdf_icon

2P829G9

 8.1. Size:174K  russia
 2p829g.pdf pdf_icon

2P829G9

U = 200 2829 Ic = 40 R = 0,05 . - 2 -43-1.

 9.1. Size:154K  russia
 2p829i9.pdf pdf_icon

2P829G9

 9.2. Size:162K  russia
 2p829j.pdf pdf_icon

2P829G9

U = 30 2829 Ic = 80 R = 0,03 . - 2 -43-1.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2P826AC, 2P829A, 2P829A9, 2P829B, 2P829B9, 2P829V, 2P829V9, 2P829G, STF13NM60N, 2P829D, 2P829D9, 2P829E, 2P829E9, 2P829J, 2P829J9, 2P829I9, 2P903A