2P829E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2P829E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 540 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3200 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
Paquete / Cubierta: КТ-43А
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2P829E Datasheet (PDF)
Otros transistores... 2P829B , 2P829B9 , 2P829V , 2P829V9 , 2P829G , 2P829G9 , 2P829D , 2P829D9 , K2611 , 2P829E9 , 2P829J , 2P829J9 , 2P829I9 , 2P903A , 2P903B , 2P903V , 2P922A .
History: 2P829D | CRTT084NE6N | NVE4153N | SUD40N06-25L | GSM4925WS | PHD77NQ03T | HM3306
History: 2P829D | CRTT084NE6N | NVE4153N | SUD40N06-25L | GSM4925WS | PHD77NQ03T | HM3306



Liste
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MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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