2P829E Todos los transistores

 

2P829E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2P829E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 540 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: КТ-43А

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2P829E

 

2P829E Datasheet (PDF)

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 2p829e.pdf

2P829E 2P829E

U = 60 2829Ic = 60 R = 0,005 . - 2 -43-

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2P829E 2P829E

U = 60 28299Ic = 60 R = 0,005 -95-1

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2P829E 2P829E

U = 200 28299Ic = 40 R = 0,05 -95-1

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2P829E 2P829E

U = 30 2829Ic = 80 R = 0,03 . - 2 -43-1.

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2P829E 2P829E

U = 600 28299Ic = 20 R = 0,15 -106-1

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2P829E 2P829E

U = 600 2829Ic = 20 R = 0,15 . - 2 -105-1

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2P829E 2P829E

U = 200 28299Ic = 40 R = 0,05 -95-1

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2P829E 2P829E

U = 30 28299Ic = 80 R = 0,03

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2P829E 2P829E

U = 800 28299Ic = 15 R = 0,5 -106-1

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2P829E 2P829E

U = 100 2829Ic = 50 R = 0,01 . - 2 -43

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2P829E 2P829E

U = 1200 28299Ic = 10 R = 0,9 -106-1

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2P829E 2P829E

U = 1200 2829Ic = 10 R = 0,9 . - 2 -105-

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2P829E 2P829E

U = 100 28299Ic = 50 R = 0,01 -95-1

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2P829E 2P829E

U = 800 2829Ic = 15 R = 0,5 . - 2 -105-1

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2P829E 2P829E

U = 200 2829Ic = 40 R = 0,05 . - 2 -43-1.

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
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