2P829E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2P829E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 540 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3200 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: КТ-43А
- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2P829E Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... 2P829B , 2P829B9 , 2P829V , 2P829V9 , 2P829G , 2P829G9 , 2P829D , 2P829D9 , K2611 , 2P829E9 , 2P829J , 2P829J9 , 2P829I9 , 2P903A , 2P903B , 2P903V , 2P922A .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTN330N06A | JMTN2310A | JMTN11DN10A | JMTM8810KS | JMTM850P04A | JMTM8205B | JMTM8205A | JMTM3415KL | JMTM3406D | JMTM330N06A | JMTM300N03D | JMTM300C02D | JMTM2310A | JMTM170N04A | JMTLB3134K | JMTLB2N7002KDS
Popular searches
k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor | a1273 | c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet