2P829J MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2P829J
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 76 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3700 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: КТ-43А
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2P829J Datasheet (PDF)
Otros transistores... 2P829V , 2P829V9 , 2P829G , 2P829G9 , 2P829D , 2P829D9 , 2P829E , 2P829E9 , IRF520 , 2P829J9 , 2P829I9 , 2P903A , 2P903B , 2P903V , 2P922A , 2P977A , 2P978A .
History: APT8024B2VR | APT12060LVFRG | 2SK4006-01SJ | SISA10DN | AP9972AGP | IPB041N04NG
History: APT8024B2VR | APT12060LVFRG | 2SK4006-01SJ | SISA10DN | AP9972AGP | IPB041N04NG



Liste
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