2P829J. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2P829J
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 76 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3700 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: КТ-43А
Аналог (замена) для 2P829J
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2P829J даташит
Другие MOSFET... 2P829V , 2P829V9 , 2P829G , 2P829G9 , 2P829D , 2P829D9 , 2P829E , 2P829E9 , 75N75 , 2P829J9 , 2P829I9 , 2P903A , 2P903B , 2P903V , 2P922A , 2P977A , 2P978A .
History: WMK16N10T1 | IRF9241 | AOB12N50L | WMK10N60C4 | 2N7221U | KRLML6401 | AOB286L
History: WMK16N10T1 | IRF9241 | AOB12N50L | WMK10N60C4 | 2N7221U | KRLML6401 | AOB286L
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor | a1273 | c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943















