J112G Todos los transistores

 

J112G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: J112G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 35 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 50 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-92
     - Selección de transistores por parámetros

 

J112G Datasheet (PDF)

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 j112g j112rlrag.pdf pdf_icon

J112G

J111, J112JFET Chopper TransistorsN-Channel DepletionFeatureshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are Available*1 DRAINMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit3Drain-Gate Voltage VDG -35 VdcGATEGate -Source Voltage VGS -35 VdcGate Current IG 50 mAdc2 SOURCETotal Device Dissipation @ TA = 25C PD 350 mWDerate above = 25C 2.8 mW/CLead Temperature TL 300

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IPB60R280C6 | FMH47N60S1 | WPM4801 | SL2306 | UT20N03 | S68N08ZRN | FDMS3660AS

 

 
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