J112G Todos los transistores

 

J112G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: J112G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 35 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 50 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-92
 

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J112G Datasheet (PDF)

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J112G

J111, J112JFET Chopper TransistorsN-Channel DepletionFeatureshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are Available*1 DRAINMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit3Drain-Gate Voltage VDG -35 VdcGATEGate -Source Voltage VGS -35 VdcGate Current IG 50 mAdc2 SOURCETotal Device Dissipation @ TA = 25C PD 350 mWDerate above = 25C 2.8 mW/CLead Temperature TL 300

Otros transistores... 2P986A , 2P986B , 2P986V , 2P986G , 2P986D , 2P986EC , 2P998A , 2P998BC , IRFP460 , J112RLRAG , J300 , KP7178A , KP767A , KP767B , KP767V , KP777B , KP778B .

History: STB150NF04 | STS65R580SS2TR

 

 
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