Справочник MOSFET. J112G

 

J112G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: J112G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 35 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 50 Ohm
   Тип корпуса: TO-92
 

 Аналог (замена) для J112G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

J112G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:85K  1
 j112g j112rlrag.pdf pdf_icon

J112G

J111, J112JFET Chopper TransistorsN-Channel DepletionFeatureshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are Available*1 DRAINMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit3Drain-Gate Voltage VDG -35 VdcGATEGate -Source Voltage VGS -35 VdcGate Current IG 50 mAdc2 SOURCETotal Device Dissipation @ TA = 25C PD 350 mWDerate above = 25C 2.8 mW/CLead Temperature TL 300

Другие MOSFET... 2P986A , 2P986B , 2P986V , 2P986G , 2P986D , 2P986EC , 2P998A , 2P998BC , IRFP460 , J112RLRAG , J300 , KP7178A , KP767A , KP767B , KP767V , KP777B , KP778B .

History: SFP098N200C3 | NP60N04KUG | WMP15N60C4 | IXFA14N60P | 2SK1499 | GWM100-01X1-SMD | 2SK2432

 

 
Back to Top

 


 
.