J112G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: J112G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 35 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 35 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 50 Ohm

Тип корпуса: TO-92

Аналог (замена) для J112G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

J112G даташит

 ..1. Size:85K  1
 j112g j112rlrag.pdf pdf_icon

J112G

J111, J112 JFET Chopper Transistors N-Channel Depletion Features http //onsemi.com Pb-Free Packages are Available* 1 DRAIN MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 3 Drain-Gate Voltage VDG -35 Vdc GATE Gate -Source Voltage VGS -35 Vdc Gate Current IG 50 mAdc 2 SOURCE Total Device Dissipation @ TA = 25 C PD 350 mW Derate above = 25 C 2.8 mW/ C Lead Temperature TL 300

Другие IGBT... 2P986A, 2P986B, 2P986V, 2P986G, 2P986D, 2P986EC, 2P998A, 2P998BC, IRF640, J112RLRAG, J300, KP7178A, KP767A, KP767B, KP767V, KP777B, KP778B