KP809G1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KP809G1
Código: КП809Г1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 700 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 50 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 405 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.5 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-218
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KP809G1 Datasheet (PDF)
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