Справочник MOSFET. KP809G1

 

KP809G1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: KP809G1

Маркировка: КП809Г1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A

Максимальная температура канала (Tj): 100 °C

Время нарастания (tr): 50 ns

Выходная емкость (Cd): 405 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO-218

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4435 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top