KP809E Todos los transistores

 

KP809E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KP809E

Código: КП809Е

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Máxima disipación de potencia (Pd): 100 W

Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 750 V

Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 8 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de subida (tr): 50 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 405 pF

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.5 Ohm

Paquete / Cubierta: TO3

Otros transistores... P1503HV , P1504BDG , P1504BVG , P1504EDG , P1504EIS , P1504HV , P1510ATG , P1520ED , IRFP260N , P1603BEB , P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF .

 

 
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