Справочник MOSFET. KP809E

 

KP809E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KP809E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 750 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 100 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 405 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для KP809E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KP809E Datasheet (PDF)

Другие MOSFET... KP809B , KP809B1 , KP809V , KP809V1 , KP809G , KP809G1 , KP809D , KP809D1 , 12N60 , KP809E1 , KP813A , KP813B , KP901A , KP901B , KP902A , KP903A , KP903B .

History: JSM3420S | JFPC12N65D | NCE40H12A

 

 
Back to Top

 


 
.