KP809E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры

   Наименование производителя: KP809E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 750 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 100 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 405 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO3
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам