KP809E1 Todos los transistores

 

KP809E1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KP809E1
   Código: КП809Е1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 750 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 405 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-218
 

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KP809E1 Datasheet (PDF)

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History: SIRA02DP | IRL3705ZSPBF | IRL2203NPBF | IRLZ44SPBF | IRL1004SPBF | WST2N7002K | KML0D4N20V

 

 
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