KP809E1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KP809E1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 750 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 100 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 405 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO-218

Аналог (замена) для KP809E1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KP809E1 даташит

 ..1. Size:330K  russia
 kp809a kp809b kp809v kp809g kp809d kp809e kp809a1 kp809b1 kp809v1 kp809g1 kp809d1 kp809e1 kp809b1-5 kp809b2-5.pdf pdf_icon

KP809E1

Другие IGBT... KP809B1, KP809V, KP809V1, KP809G, KP809G1, KP809D, KP809D1, KP809E, 2N7002, KP813A, KP813B, KP901A, KP901B, KP902A, KP903A, KP903B, KP903V