FDMA291P Todos los transistores

 

FDMA291P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDMA291P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
   Paquete / Cubierta: MICROFET
 

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FDMA291P datasheet

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FDMA291P

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FDMA291P

May 20 0 t tm tm tm FDMA2002NZ Dual N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features 2.9 A, 30 V RDS(ON) = 123 m @ VGS = 4.5 V This device is designed specifically as a single package RDS(ON) = 140 m @ VGS = 3.0 V solution for dual switching requirements in cellular RDS(ON) = 163 m @ VGS = 2.5 V handset and other ultra-portable applications. It fea

 9.2. Size:432K  onsemi
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FDMA291P

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Otros transistores... FDMA1027P , FDMA1027PT , FDMA1028NZ , FDMA1029PZ , FDMA1032CZ , STS3404 , FDMA2002NZ , STS3402 , IRF4905 , FDMA3023PZ , FDMA3028N , STS3401A , FDMA410NZ , FDMA420NZ , FDMA430NZ , STS3401 , FDMA507PZ .

History: FDB8832

 

 

 


 
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