AONY36352 Todos los transistores

 

AONY36352 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AONY36352
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18.5(30) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230(520) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0053(0.002) Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6D
 

 Búsqueda de reemplazo de AONY36352 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AONY36352 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:594K  1
 aony36352.pdf pdf_icon

AONY36352

AONY3635230V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 49A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:876K  aosemi
 aony36352.pdf pdf_icon

AONY36352

AONY3635230V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 49A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:761K  aosemi
 aony36356.pdf pdf_icon

AONY36352

AONY3635630V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) at 4.5V Vgs ID (at VGS=10V) 32A 32A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:892K  aosemi
 aony36354.pdf pdf_icon

AONY36352

AONY3635430V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 49A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... HY1808AP , HY1808AM , HY1808AB , HY1808APS , HY1808APM , MDP1991 , NCE8580 , SRC60R090B , 10N65 , HM25P06D , AP3N9R5H , EMB04N03H , HY3215W , KPS8N65F , QN3107M6N , S70N08R , S70N08S .

History: QN3107M6N | AP60AN750IN

 

 
Back to Top

 


History: QN3107M6N | AP60AN750IN

AONY36352   AONY36352   AONY36352  

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20

 

 

 
Back to Top

 

Popular searches

y2 transistor | 40n06 | bc108b | oc84 | c6090 | ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor

 


 
.