AONY36352 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AONY36352
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18.5(30) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230(520) pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0053(0.002) Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5X6D
Búsqueda de reemplazo de AONY36352 MOSFET
AONY36352 Datasheet (PDF)
aony36352.pdf

AONY3635230V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 49A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aony36352.pdf

AONY3635230V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 49A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aony36356.pdf

AONY3635630V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) at 4.5V Vgs ID (at VGS=10V) 32A 32A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aony36354.pdf

AONY3635430V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 49A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
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History: AP15P10GI | MMD80R1K2QZRH | SSF11NS65 | SIZ918DT
History: AP15P10GI | MMD80R1K2QZRH | SSF11NS65 | SIZ918DT



Liste
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