AONY36352 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AONY36352

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 3.1 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 30 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 18.5(30) A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 2.1(1.9) V

Carga de compuerta (Qg): 11(37) nC

Tiempo de elevación (tr): 4 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 230(520) pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0053(0.002) Ohm

Paquete / Caja (carcasa): DFN5X6D

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AONY36352

AONY36352 Datasheet (PDF)

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AONY3635230V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 49A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , IRFP250N , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: