AONY36352 Todos los transistores

 

AONY36352 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AONY36352
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18.5(30) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.1(1.9) V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11(37) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230(520) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0053(0.002) Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6D
 

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AONY36352 Datasheet (PDF)

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AONY36352

AONY3635230V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 49A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:876K  aosemi
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AONY36352

AONY3635230V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 49A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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AONY3635630V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) at 4.5V Vgs ID (at VGS=10V) 32A 32A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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AONY36352

AONY3635430V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 49A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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History: FDPF7N50U | MTP2N50 | IRF7463 | STB16PF06LT4

 

 
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