AONY36352 - описание и поиск аналогов

 

AONY36352. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONY36352

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18.5(30) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230(520) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053(0.002) Ohm

Тип корпуса: DFN5X6D

Аналог (замена) для AONY36352

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONY36352 даташит

 ..1. Size:594K  1
 aony36352.pdf pdf_icon

AONY36352

AONY36352 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 49A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:876K  aosemi
 aony36352.pdf pdf_icon

AONY36352

 6.1. Size:761K  aosemi
 aony36356.pdf pdf_icon

AONY36352

AONY36356 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) at 4.5V Vgs ID (at VGS=10V) 32A 32A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:892K  aosemi
 aony36354.pdf pdf_icon

AONY36352

AONY36354 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 49A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HY1808AP , HY1808AM , HY1808AB , HY1808APS , HY1808APM , MDP1991 , NCE8580 , SRC60R090B , 4N60 , HM25P06D , AP3N9R5H , EMB04N03H , HY3215W , KPS8N65F , QN3107M6N , S70N08R , S70N08S .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.