AONY36352 - аналоги и даташиты транзистора

 

AONY36352 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AONY36352
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18.5(30) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230(520) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053(0.002) Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6D
 

 Аналог (замена) для AONY36352

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONY36352 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:594K  1
 aony36352.pdf pdf_icon

AONY36352

AONY3635230V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 49A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:876K  aosemi
 aony36352.pdf pdf_icon

AONY36352

AONY3635230V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 49A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:761K  aosemi
 aony36356.pdf pdf_icon

AONY36352

AONY3635630V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) at 4.5V Vgs ID (at VGS=10V) 32A 32A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:892K  aosemi
 aony36354.pdf pdf_icon

AONY36352

AONY3635430V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 49A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HY1808AP , HY1808AM , HY1808AB , HY1808APS , HY1808APM , MDP1991 , NCE8580 , SRC60R090B , 4N60 , HM25P06D , AP3N9R5H , EMB04N03H , HY3215W , KPS8N65F , QN3107M6N , S70N08R , S70N08S .

 

 
Back to Top

 


 
.