EMB04N03H Todos los transistores

 

EMB04N03H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: EMB04N03H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 548 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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EMB04N03H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:224K  1
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EMB04N03H

EMB04N03HNChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:DBVDSS30VRDSON(MAX.)4.0mID75AGSUIS,Rg100%TestedPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TC=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS2

Otros transistores... HY1808APS , HY1808APM , MDP1991 , NCE8580 , SRC60R090B , AONY36352 , HM25P06D , AP3N9R5H , 5N65 , HY3215W , KPS8N65F , QN3107M6N , S70N08R , S70N08S , S70N08RN , S70N08RP , STP200N3LL .

History: 2N7008 | SIHB8N50D

 

 
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