EMB04N03H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EMB04N03H
Código: B04N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 30 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 75 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de compuerta (Qg): 59 nC
Tiempo de elevación (tr): 12 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 548 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.004 Ohm
Paquete / Caja (carcasa): EDFN5X6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET EMB04N03H
EMB04N03H Datasheet (PDF)
..1. emb04n03h.pdf Size:224K _1
EMB04N03HNChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:DBVDSS30VRDSON(MAX.)4.0mID75AGSUIS,Rg100%TestedPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TC=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS2
Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , IRFP250N , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .



Liste
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