EMB04N03H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: EMB04N03H

Código: B04N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 30 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 75 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 3 V

Carga de compuerta (Qg): 59 nC

Tiempo de elevación (tr): 12 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 548 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.004 Ohm

Paquete / Caja (carcasa): EDFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET EMB04N03H

EMB04N03H Datasheet (PDF)

..1. emb04n03h.pdf Size:224K _1

EMB04N03HNChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:DBVDSS30VRDSON(MAX.)4.0mID75AGSUIS,Rg100%TestedPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TC=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS2

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Liste

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