Справочник MOSFET. EMB04N03H

 

EMB04N03H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: EMB04N03H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 548 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для EMB04N03H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EMB04N03H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:224K  1
 emb04n03h.pdf pdf_icon

EMB04N03H

EMB04N03HNChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:DBVDSS30VRDSON(MAX.)4.0mID75AGSUIS,Rg100%TestedPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TC=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS2

Другие MOSFET... HY1808APS , HY1808APM , MDP1991 , NCE8580 , SRC60R090B , AONY36352 , HM25P06D , AP3N9R5H , 5N65 , HY3215W , KPS8N65F , QN3107M6N , S70N08R , S70N08S , S70N08RN , S70N08RP , STP200N3LL .

History: IRF7413Z | TSD5N50MR | FQU5N50TU

 

 
Back to Top

 


 
.