KPS8N65F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KPS8N65F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 40.3 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 650 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de compuerta (Qg): 20 nC
Tiempo de elevación (tr): 40 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 50 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.58 Ohm
Paquete / Caja (carcasa): TO220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KPS8N65F
KPS8N65F Datasheet (PDF)
..1. kps8n65f.pdf Size:984K _1
KPS8N65FSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description This Super Junction MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentavalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factorcorrection and switching mode power supplies.FEATURES VDSS=650V, ID=8ADrain
Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , IRFP250N , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .



Liste
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