KPS8N65F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KPS8N65F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 40.3 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 650 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 20 nC

Tiempo de elevación (tr): 40 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 50 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.58 Ohm

Paquete / Caja (carcasa): TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KPS8N65F

KPS8N65F Datasheet (PDF)

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KPS8N65FSEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description This Super Junction MOSFET has better characteristics, such as fastswitching time, low on resistance, low gate charge and excellentavalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factorcorrection and switching mode power supplies.FEATURES VDSS=650V, ID=8ADrain

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Liste

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