KPS8N65F - описание и поиск аналогов

 

KPS8N65F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KPS8N65F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для KPS8N65F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KPS8N65F даташит

 ..1. Size:984K  1
 kps8n65f.pdf pdf_icon

KPS8N65F

KPS8N65F SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description This Super Junction MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for active power factor correction and switching mode power supplies. FEATURES VDSS=650V, ID=8A Drain

Другие MOSFET... MDP1991 , NCE8580 , SRC60R090B , AONY36352 , HM25P06D , AP3N9R5H , EMB04N03H , HY3215W , 5N60 , QN3107M6N , S70N08R , S70N08S , S70N08RN , S70N08RP , STP200N3LL , BSS84KR , HM0565 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.