HM0565 Todos los transistores

 

HM0565 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM0565
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 30 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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HM0565 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1758K  cn hmsemi
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HM0565

Silicon N-Channel Power MOSFET HM0565General Description VDSS 650 VHM0565, the silicon N-channel EnhancedID 0.5 APD (TC=25) 3 WVDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 9which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for

Otros transistores... KPS8N65F , QN3107M6N , S70N08R , S70N08S , S70N08RN , S70N08RP , STP200N3LL , BSS84KR , IRF2807 , HM100N02 , HM100N02K , HM100N03 , HM100N03D , HM100N03K , HM100N06F , HM100N15 , HM100N15A .

History: MMF80R900QZTH | PV5G3EA | AFP9577 | WMJ53N65F2 | SUP85N03-07P | FTA04N60A | IPA60R180C7

 

 
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