HM0565 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM0565
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 30 Ohm
Encapsulados: SOT-23
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HM0565 datasheet
hm0565.pdf
Silicon N-Channel Power MOSFET HM0565 General Description VDSS 650 V HM0565, the silicon N-channel Enhanced ID 0.5 A PD (TC=25 ) 3 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 9 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for
Otros transistores... KPS8N65F , QN3107M6N , S70N08R , S70N08S , S70N08RN , S70N08RP , STP200N3LL , BSS84KR , STF13NM60N , HM100N02 , HM100N02K , HM100N03 , HM100N03D , HM100N03K , HM100N06F , HM100N15 , HM100N15A .
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