HM0565 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HM0565
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 6 nC
Время нарастания (tr): 27 ns
Выходная емкость (Cd): 25 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 30 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
HM0565 Datasheet (PDF)
..1. Size:1758K cn hmsemi
hm0565.pdf
hm0565.pdf
Silicon N-Channel Power MOSFET HM0565General Description VDSS 650 VHM0565, the silicon N-channel EnhancedID 0.5 APD (TC=25) 3 WVDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 9which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
