HM0565 - описание и поиск аналогов

 

HM0565. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM0565

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 30 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для HM0565

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM0565 даташит

 ..1. Size:1758K  cn hmsemi
 hm0565.pdf pdf_icon

HM0565

Silicon N-Channel Power MOSFET HM0565 General Description VDSS 650 V HM0565, the silicon N-channel Enhanced ID 0.5 A PD (TC=25 ) 3 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 9 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for

Другие MOSFET... KPS8N65F , QN3107M6N , S70N08R , S70N08S , S70N08RN , S70N08RP , STP200N3LL , BSS84KR , STF13NM60N , HM100N02 , HM100N02K , HM100N03 , HM100N03D , HM100N03K , HM100N06F , HM100N15 , HM100N15A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.