FDMA410NZ Todos los transistores

 

FDMA410NZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDMA410NZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: MICROFET

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FDMA410NZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:222K  fairchild semi
fdma410nz.pdf

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April 2009FDMA410NZSingle N-Channel 1.5 V Specified PowerTrench MOSFET 20 V, 9.5 A, 23 mFeatures General Description Max rDS(on) = 23 m at VGS = 4.5 V, ID = 9.5 A This Single N-Channel MOSFET has been designed using Fairchild Semiconductors advanced Power Trench process to Max rDS(on) = 29 m at VGS = 2.5 V, ID = 8.0 Aoptimize the rDS(ON) @ VGS = 1.5 V on special M

 9.1. Size:293K  fairchild semi
fdma430nz.pdf

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August 2009FDMA430NZtmSingle N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET30V, 5.0A, 40m General Description FeaturesThis Single N-Channel MOSFET has been designed using RDS(on) = 40m @ VGS = 4.5 V, ID = 5.0A Fairchild Semiconductors advanced Power Trench process RDS(on) = 50m @ VGS = 2.5 V, ID = 4.5A to optimize the RDS(on) @VGS=2.5V on special MicroFET leadframe.

 9.2. Size:252K  fairchild semi
fdma420nz.pdf

FDMA410NZ FDMA410NZ

August 2009FDMA420NZtmSingle N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET20V, 5.7A, 30m General Description FeaturesThis Single N-Channel MOSFET has been designed using RDS(on) = 30m @ VGS = 4.5 V, ID = 5.7AFairchild Semiconductors advanced Power Trenchprocess to optimize the RDS(on) @VGS=2.5V on special RDS(on) = 40m @ VGS = 2.5 V, ID = 5.0AMicroFET leadframe.

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