FDMA410NZ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDMA410NZ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.4 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 10 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.023 Ohm
Тип корпуса: MICROFET
FDMA410NZ Datasheet (PDF)
fdma410nz.pdf
April 2009FDMA410NZSingle N-Channel 1.5 V Specified PowerTrench MOSFET 20 V, 9.5 A, 23 mFeatures General Description Max rDS(on) = 23 m at VGS = 4.5 V, ID = 9.5 A This Single N-Channel MOSFET has been designed using Fairchild Semiconductors advanced Power Trench process to Max rDS(on) = 29 m at VGS = 2.5 V, ID = 8.0 Aoptimize the rDS(ON) @ VGS = 1.5 V on special M
fdma430nz.pdf
August 2009FDMA430NZtmSingle N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET30V, 5.0A, 40m General Description FeaturesThis Single N-Channel MOSFET has been designed using RDS(on) = 40m @ VGS = 4.5 V, ID = 5.0A Fairchild Semiconductors advanced Power Trench process RDS(on) = 50m @ VGS = 2.5 V, ID = 4.5A to optimize the RDS(on) @VGS=2.5V on special MicroFET leadframe.
fdma420nz.pdf
August 2009FDMA420NZtmSingle N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET20V, 5.7A, 30m General Description FeaturesThis Single N-Channel MOSFET has been designed using RDS(on) = 30m @ VGS = 4.5 V, ID = 5.7AFairchild Semiconductors advanced Power Trenchprocess to optimize the RDS(on) @VGS=2.5V on special RDS(on) = 40m @ VGS = 2.5 V, ID = 5.0AMicroFET leadframe.
Другие MOSFET... FDMA1032CZ , STS3404 , FDMA2002NZ , STS3402 , FDMA291P , FDMA3023PZ , FDMA3028N , STS3401A , STP80NF70 , FDMA420NZ , FDMA430NZ , STS3401 , FDMA507PZ , FDMA510PZ , FDMA520PZ , FDMA530PZ , FDMA6023PZT .
