HM10P10Q Todos los transistores

 

HM10P10Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM10P10Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 73 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 590 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
 

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HM10P10Q Datasheet (PDF)

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HM10P10Q

HM10P10Q P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM10P10Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features VDS =-100V,ID =-10A RDS(ON)

 7.1. Size:676K  cn hmsemi
 hm10p10d.pdf pdf_icon

HM10P10Q

HM10P10D P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM10P10D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features VDS =-100V,ID =-10A RDS(ON)

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History: JCS12N65CEI | IRFSL31N20D | NTD24N06-001

 

 
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