HM10P10Q - описание и поиск аналогов

 

HM10P10Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM10P10Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 73 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 590 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для HM10P10Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM10P10Q даташит

 ..1. Size:785K  cn hmsemi
 hm10p10q.pdf pdf_icon

HM10P10Q

HM10P10Q P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM10P10Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features VDS =-100V,ID =-10A RDS(ON)

 7.1. Size:676K  cn hmsemi
 hm10p10d.pdf pdf_icon

HM10P10Q

HM10P10D P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM10P10D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features VDS =-100V,ID =-10A RDS(ON)

Другие MOSFET... HM10N10Q , HM10N15D , HM10N60 , HM10N60F , HM10N70F , HM10N80A , HM10N80F , HM10P10D , IRFP064N , HM110N03D , HM1207E , HM120N03 , HM120N03K , HM120N04 , HM120N04D , HM120N04I , HM120N04K .

History: HM120N04D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.