Справочник MOSFET. HM10P10Q

 

HM10P10Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM10P10Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 73 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 590 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для HM10P10Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM10P10Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:785K  cn hmsemi
 hm10p10q.pdf pdf_icon

HM10P10Q

HM10P10Q P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM10P10Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features VDS =-100V,ID =-10A RDS(ON)

 7.1. Size:676K  cn hmsemi
 hm10p10d.pdf pdf_icon

HM10P10Q

HM10P10D P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM10P10D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features VDS =-100V,ID =-10A RDS(ON)

Другие MOSFET... HM10N10Q , HM10N15D , HM10N60 , HM10N60F , HM10N70F , HM10N80A , HM10N80F , HM10P10D , 5N50 , HM110N03D , HM1207E , HM120N03 , HM120N03K , HM120N04 , HM120N04D , HM120N04I , HM120N04K .

History: WPM2005B | SRC60R360B | NCEP15T18T

 

 
Back to Top

 


 
.