HM110N03D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HM110N03D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 991 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM110N03D

HM110N03D Datasheet (PDF)

..1. Size:547K cn hmsemi
hm110n03d.pdf

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM110N03D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =110A Schematic Diagram RDS(ON)

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Liste

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