HM110N03D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HM110N03D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 70 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 110 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.7 V
   Carga de la puerta (Qg): 140 nC
   Tiempo de subida (tr): 24 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 991 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0024 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM110N03D

HM110N03D Datasheet (PDF)

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hm110n03d.pdf

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM110N03D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =110A Schematic Diagram RDS(ON)

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Liste

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