HM110N03D Todos los transistores

 

HM110N03D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM110N03D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 991 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

 Búsqueda de reemplazo de HM110N03D MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HM110N03D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:547K  cn hmsemi
 hm110n03d.pdf pdf_icon

HM110N03D

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM110N03D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =110A Schematic Diagram RDS(ON)

Otros transistores... HM10N15D , HM10N60 , HM10N60F , HM10N70F , HM10N80A , HM10N80F , HM10P10D , HM10P10Q , IRFP064N , HM1207E , HM120N03 , HM120N03K , HM120N04 , HM120N04D , HM120N04I , HM120N04K , HM12N15I .

 

 
Back to Top

 


 
.