HM110N03D Todos los transistores

 

HM110N03D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM110N03D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 991 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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HM110N03D datasheet

 ..1. Size:547K  cn hmsemi
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HM110N03D

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM110N03D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =110A Schematic Diagram RDS(ON)

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