HM110N03D - описание и поиск аналогов

 

HM110N03D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM110N03D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 991 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для HM110N03D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM110N03D даташит

 ..1. Size:547K  cn hmsemi
 hm110n03d.pdf pdf_icon

HM110N03D

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM110N03D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =110A Schematic Diagram RDS(ON)

Другие MOSFET... HM10N15D , HM10N60 , HM10N60F , HM10N70F , HM10N80A , HM10N80F , HM10P10D , HM10P10Q , AO4468 , HM1207E , HM120N03 , HM120N03K , HM120N04 , HM120N04D , HM120N04I , HM120N04K , HM12N15I .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.