Справочник MOSFET. HM110N03D

 

HM110N03D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM110N03D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 991 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для HM110N03D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM110N03D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:547K  cn hmsemi
 hm110n03d.pdf pdf_icon

HM110N03D

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM110N03D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =110A Schematic Diagram RDS(ON)

Другие MOSFET... HM10N15D , HM10N60 , HM10N60F , HM10N70F , HM10N80A , HM10N80F , HM10P10D , HM10P10Q , IRFP064N , HM1207E , HM120N03 , HM120N03K , HM120N04 , HM120N04D , HM120N04I , HM120N04K , HM12N15I .

History: RJK03E0DNS | CPH3910 | AOI600A60 | NCE9926 | IPB60R160C6 | NCE60N1K0R

 

 
Back to Top

 


 
.