HM13N50F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HM13N50F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 45 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM13N50F

HM13N50F Datasheet (PDF)

..1. Size:349K cn hmsemi
hm13n50 hm13n50f.pdf

HM13N50 / HM13N50FHM13N50 / HM13N50F500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using SL semis 13.0A, 500V, RDS(on) = 0.48 @VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 45nC)This advanced technology has been espe cially tailored to Fast witchingsminimize o n-state r esistance, pr ovide superior

9.1. Size:47K chenmko
chm13n07pagp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM13N07PAGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 70 Volts CURRENT 11 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10)* High power

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: