Справочник MOSFET. HM13N50F

 

HM13N50F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM13N50F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для HM13N50F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM13N50F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:349K  cn hmsemi
 hm13n50 hm13n50f.pdf pdf_icon

HM13N50F

HM13N50 / HM13N50FHM13N50 / HM13N50F500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using SL semis 13.0A, 500V, RDS(on) = 0.48 @VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 45nC)This advanced technology has been espe cially tailored to Fast witchingsminimize o n-state r esistance, pr ovide superior

 9.1. Size:47K  chenmko
 chm13n07pagp.pdf pdf_icon

HM13N50F

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM13N07PAGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 70 Volts CURRENT 11 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10)* High power

Другие MOSFET... HM120N04K , HM12N15I , HM12N20D , HM12N60 , HM12N60F , HM12N65 , HM12N65F , HM13N50 , IRF640N , HM13P10 , HM13P10K , HM1404 , HM1404B , HM1404C , HM1404D , HM150N03 , HM150N03D .

History: IRFSL41N15D | IPI26CN10N | VS3645GE | STB150NF55 | DMP3025LK3 | HM4487A | TPCF8304

 

 
Back to Top

 


 
.