HM13N50F - описание и поиск аналогов

 

HM13N50F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM13N50F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для HM13N50F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM13N50F даташит

 ..1. Size:349K  cn hmsemi
 hm13n50 hm13n50f.pdf pdf_icon

HM13N50F

HM13N50 / HM13N50F HM13N50 / HM13N50F 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using SL semi s 13.0A, 500V, RDS(on) = 0.48 @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 45nC) This advanced technology has been espe cially tailored to Fast witching s minimize o n-state r esistance, pr ovide superior

 9.1. Size:47K  chenmko
 chm13n07pagp.pdf pdf_icon

HM13N50F

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM13N07PAGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 70 Volts CURRENT 11 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D-PAK(TO-252) FEATURE * Small package. (TO-252) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40) .280 (7.10) * High power

Другие MOSFET... HM120N04K , HM12N15I , HM12N20D , HM12N60 , HM12N60F , HM12N65 , HM12N65F , HM13N50 , IRFB4110 , HM13P10 , HM13P10K , HM1404 , HM1404B , HM1404C , HM1404D , HM150N03 , HM150N03D .

History: MCD3410

 

 

 

 

↑ Back to Top
.