HM13P10 Todos los transistores

 

HM13P10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM13P10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: TO220

 Búsqueda de reemplazo de HM13P10 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HM13P10 datasheet

 ..1. Size:609K  cn hmsemi
 hm13p10.pdf pdf_icon

HM13P10

HM13P10 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM13P10 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features VDS =-100V,ID =-13A Schematic diagram RDS(ON)

 0.1. Size:645K  cn hmsemi
 hm13p10k.pdf pdf_icon

HM13P10

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM13P10K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features VDS =-100V,ID =-13A Schematic diagram RDS(ON)

Otros transistores... HM12N15I , HM12N20D , HM12N60 , HM12N60F , HM12N65 , HM12N65F , HM13N50 , HM13N50F , IRF640N , HM13P10K , HM1404 , HM1404B , HM1404C , HM1404D , HM150N03 , HM150N03D , HM150N03K .

History: DMP2004VK

 

 

 

 

↑ Back to Top
.